除了 GDDR7 显存，三星还宣布将在下个月举行的 SSCC峰会上，展示拥有280层的 3D QLC SSD 储存颗粒，以及全新 DDR5-8000MHz 内存颗粒。
三星 280层 3D QLC NAND 颗粒密度为1Tb，支持下一代固态硬盘和智能手机，该芯片的磁区密度为 28.5 Gb/mm²，速度为 3.2 GB/s。
接下来是新一代 DDR5 内存颗粒，频率8000MHz，密度为 32 Gbit（4 GB），采用对称“马赛克” DRAM 单元架构，基于三星专为 DRAM 产品优化的第 5 代 10 nm 工艺打造。
据了解，该颗粒除了可以打造32 GB 和 48 GB 内存外，还可以打造 64 GB 甚至是 96 GB 大容量内存。
预计相关新品有望在年内登场。
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